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In mwawelettronica un mwbaMESFET (mwbqacronimo dell'mwbginglese mwbwMetal-Semiconductor Field-Effect Transistor, mwcalett. "transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore") è un tipo di mwcqtransistor a effetto di campo simile ad un mwcgJFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una mwcwgiunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della mwdagiunzione p-n. Sono normalmente costruiti in mwdqGaAs, mwdgInP o mwdwSiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei mweaMOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino alla mweqfrequenza di circa mweg45 GHz e sono componenti spesso utilizzati per la costruzione di sistemi a mwewmicroonde.

La principale limitazione dei MESFET risiede nella scarsa mobilità delle mwfqlacune all'interno dei materiali dei gruppi III-V: se si volesse realizzare un sistema mwfgCMOS tramite MESFET non sarebbe possibile ottenere le stesse prestazioni in frequenza per i dispositivi a canale p e a canale n.

• Struttura

• Prestazioni in frequenza

• Note

• Bibliografia

• Voci correlate

• Altri progetti

• Collegamenti esterni

Il MESFET è un dispositivo a quattro terminali: Gate, Source, Drain e Body. Analogamente ad un mwggJFET il MESFET è realizzato in modo da avere un canale di conduzione modulato da un allargamento di una zona di svuotamento controllata dal gate.

A differenza dei JFET, dove il canale di conduzione viene controllato dallo svuotamento di una giunzione PN, in un MESFET viene realizzata una giunzione Schottky sul gate (tipicamente Al su GaAs-n), con il risultato di combinare l'elevata mobilità dei materiali III-V con la capacità di svuotamento del metallo, principale vantaggio dei diodi Schottky.

In prima approssimazione, la frequenza di taglio di un MESFET è il rapporto tra la sua transconduttanza e la somma delle capacità viste dal gate, ed è proporzionale a μ/L², rispettivamente la mobilità degli elettroni nel canale e la lunghezza del canale stesso.

La scelta dei materiali III-V permette non solo di avere mobilità elevate (sia sufficiente pensare che in mwhwGaAs la mobilità degli elettroni è di circa 8500 cm2/(V·s) a 300K contro i 1400 cm2/(V·s) del silicio) ma anche di realizzare, tramite tecnologie di impiantazione ionica, dispositivi molto più corti dei JFET.cite-ref-1[1] Sono comunemente usati nelle telecomunicazioni a mwjamicroonde e per i mwjqradar. Dal punto di vista del design di circuiti digitali, l'uso dei MESFET è particolarmente difficoltoso.

cite-note-11. ↑ mwlaLepkowski W., Wilk S.J., Thornton T.J.,, mwlqmwlg45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 µm SOI CMOS Process, in mwlwSOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, California), 2009, pp.mwma 1-2, mwmqISSNmwmg 1078-621X, , mwogISBN 978-1-4244-4256-0.

• mwpwAdel Sedra, K.C. Smith, Circuiti per la microelettronica, a cura di Aldo Ferrari, IV edizione, Roma, Edizioni Ingegneria 2000, 2004, pp. 451-456, ISBN 88-86658-15-X.

• mwraTransistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore

• mwrgCMOS

• mwsaTransistor ad alta mobilità elettronica ad effetto di campo

• mwsgTransistor a effetto di campo

• mwtaTransistore unigiunzione

• mwtgTransistor bipolare a gate isolato

• mwuaTransistor a giunzione bipolare

• mwugEffetto Early

• mwvaDispositivi a semiconduttore

Altri progetti

• Wikimedia Commons

• Wikimedia Commons contiene immagini o altri file su MESFET

• citerefbritannica-com(EN) metal-semiconductor field-effect transistor, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.